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FQB12P20TM中文资料

FQB12P20TM图片

FQB12P20TM外观图

  • 大小:1014.2KB
  • 厂家:Fairchild Semiconductor
  • 描述: P CHANNEL MOSFET, -200V, 11.5mA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11.5mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):470mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V ;RoHS Compliant: Yes
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:470 毫欧 @ 5.75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3.13W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:TO-263-2
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FQB12P20TM-NDFQB12P20TMTR

FQB12P20TM供应商

更新时间:2023-01-27 00:28:24
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